特許
J-GLOBAL ID：200903001813318727
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-306554
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127372
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 良好な放熱性を有し、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 ヒートシンク2と、両側面に一対の電極5、6を有する半導体レーザ素子3を一対の電極5、6のいずれか一方と合金化するろう材8を介して、ヒートシンク2上に固着してなる半導体レーザ装置1において、一対の電極4、5の少なくとも一方に、ろう材8と合金化した際に高い熱伝導率を有する放熱層7が形成されている。
請求項（抜粋）：
ヒートシンクと、両側面に一対の電極を有する半導体レーザ素子を前記一対の電極のいずれか一方と合金化するろう材を介して、前記ヒートシンク上に固着してなる半導体レーザ装置において、前記一対の電極の少なくとも一方に、前記ろう材と合金した際に高い熱伝導率を有する放熱層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5F073BA06
, 5F073CA14
, 5F073CB22
, 5F073CB23
, 5F073FA13
, 5F073FA22
