特許

J-GLOBAL ID：200903001813595500

半導体ウェハ吸着ステージ

発明者： 高橋 昭男 ,  十河 研一
出願人/特許権者： 株式会社セル・コーポレーション ,  高橋 昭男
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-097081
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275521
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 簡便且つ確実な手段で半導体ウェハを吸着固定する。【構成】 不純物半導体2は保護膜4を介して半導体ウェハ1を載置する。ステージ3に電圧を加えて不純物半導体2の表面に高密度で多数キャリアの電荷を局在化させ静電引力により加工対象の半導体ウェハ1を吸着する。

請求項（抜粋）：

静電引力が距離の二乗以上で作用する不純物半導体を加工装置のステージと一体化し不純物半導体面に加工対象物を固定保持する事を特徴とする半導体ウェハ吸着ステージ。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302 ,  H02N 13/00