特許
J-GLOBAL ID:200903001815297590
シリコンウエハの製造方法、シリコンウエハおよびシリコンブロック
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-026021
公開番号(公開出願番号):特開2007-208060
出願日: 2006年02月02日
公開日(公表日): 2007年08月16日
要約:
【課題】スライス加工時にシリコンウエハがダミー材から脱落するのを防止すると共に、シリコンウエハの破断強度を向上させ、シリコンウエハの割れ率を低下させることを課題とする。【解決手段】シリコンウエハ製造用のシリコンブロックの、シリコンウエハの端面となる側面を機械的に研磨し、次いで該側面をケミカルエッチングし、その後スライス加工して、シリコンウエハを得ることからなり、前記ケミカルエッチング後の表面粗さが、前記研磨後の表面粗さより大きいことを特徴とするシリコンウエハの製造方法により、上記の課題を解決する。【選択図】図6
請求項1:
シリコンウエハ製造用のシリコンブロックの、シリコンウエハの端面となる側面を機械的に研磨し、次いで該側面をケミカルエッチングし、その後スライス加工して、シリコンウエハを得ることからなり、前記ケミカルエッチング後の表面粗さが、前記研磨後の表面粗さより大きいことを特徴とするシリコンウエハの製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (8件)
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シリコンウエハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-272356
出願人:シャープ株式会社
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シリコンウエハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-168930
出願人:シャープ株式会社
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特開平2-122617
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単結晶インゴットの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-103475
出願人:同和鉱業株式会社
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特開昭54-005378
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ウエーハの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-292558
出願人:信越半導体株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-264135
出願人:株式会社デンソー
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粗面化された金属箔
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-234338
出願人:大日本印刷株式会社
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審査官引用 (8件)
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シリコンウエハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-272356
出願人:シャープ株式会社
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シリコンウエハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-168930
出願人:シャープ株式会社
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特開平2-122617
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単結晶インゴットの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-103475
出願人:同和鉱業株式会社
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特開昭54-005378
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ウエーハの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-292558
出願人:信越半導体株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-264135
出願人:株式会社デンソー
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粗面化された金属箔
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-234338
出願人:大日本印刷株式会社
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