特許
J-GLOBAL ID:200903001816720984

レジスト材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-112072
公開番号(公開出願番号):特開平6-301211
出願日: 1993年04月15日
公開日(公表日): 1994年10月28日
要約:
【要約】 (修正有)【構成】 下記一般式(1)で示されるオニウム塩、アルカリ可溶性樹脂、及び下記一般式(2)で示される溶解阻止剤を含有してなるポリマーを有機溶媒に溶解してなることを特徴とするレジスト材料。 (R1)nMX ...(1)(式中、R1は同種又は異種の非置換又は置換芳香族基を示し、Mはスルホニウム又はヨードニウムを示し、Xはp-トルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネートを示す。nは2又は3を示す。)(式中、R2はメチル基又は水素原子を示し、q/p+q=0.1〜0.9である。)【効果】 ポジ型レジストとして高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性が優れているレジスト材料を提供する。
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(1)で示されるオニウム塩、 (R1)nMX ...(1)(式中、R1は同種又は異種の非置換又は置換芳香族基を示し、Mはスルホニウム又はヨードニウムを示し、Xはp-トルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネートを示す。nは2又は3を示す。)(B)アルカリ可溶性樹脂、(C)下記一般式(2)で示される溶解阻止剤【化1】(式中、R2はメチル基又は水素原子を示し、q/p+q=0.1〜0.9である。)を含有してなることを特徴とするレジスト材料。
IPC (4件):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-107165
  • 特開平4-156548
  • 特開平4-211258

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