炭化珪素ショットキダイオードおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320877
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134760
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】マイクロパイプを含む炭化珪素基板を用いた炭化珪素整流素子において、マイクロパイプの影響を無くし、大面積の炭化珪素整流素子を歩留まりよく製造する。【解決手段】マイクロパイプ17の表面近傍部分及びその周辺部に表面層と逆導電型のイオンを注入し、熱処理して再結晶領域18を形成する。または、マイクロパイプの表面露出部を絶縁膜で覆う。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板との界面に整流作用を有するショットキー電極と、基板裏面に設けられたオーミック電極を有する炭化珪素半導体ショットキー素子において、炭化珪素半導体基板に存在するマイクロパイプの影響を抑制する不活性化手段を有することを特徴とする炭化珪素半導体ショットキーダイオード。

FI (2件)：

H01L 29/48 F , H01L 29/48 D

Fターム (9件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104CC03 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (3件)

オーミック接点の形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-571488 出願人：サイスドエレクトロニクスデヴェロプメントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニコマンディートゲゼルシャフト
半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-252802 出願人：沖電気工業株式会社
半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-175045 出願人：株式会社デンソー

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