特許
J-GLOBAL ID：200903001820711094
半導体発光素子の光強度制御回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164250
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013848
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 比較的簡単な構成で半導体発光素子から発光される光強度を高速に制御できる半導体発光素子の光強度制御回路を得る。【構成】 レーザーダイオード1から発光される光の強度は、フォトダイオード3及び電流-電圧変換回路4を介して、電圧出力S4として電圧比較器15の反転入力部に出力される。電圧比較器15は、正転入力部に基準電圧VRが付与され、出力部から比較結果出力電圧を出力し、電圧比較器15の出力部は、サンプル/ホールド信号S16のH,Lに基づきオン,オフが切り換わるスイッチ16を介して駆動回路2の入力部に接続され、スイッチ16,駆動回路2の入力部間のノード17と接地レベルとの間にキャパシタ18が設けられる。【効果】 制御をハードウェア上で行うため、高速制御が可能となり、各構成要素に大規模なものを用いないため、比較的簡単な回路構成となる。
請求項（抜粋）：
半導体発光素子から出力される光の強度を所定レベルに制御する回路であって、入力部に取り込む電圧量に正の相関のある光強度で、前記半導体発光素子を発光させる半導体発光素子駆動回路と、前記半導体発光素子から光を受け、該光を光電変換して、前記光の強度と正の相関のある光電変換電圧を出力する光電変換部と、前記光電変換電圧と基準電圧とを取り込み、前記光電変換電圧が前記基準電圧より低い場合に高電位レベルの比較結果出力電圧を出力部から出力し、前記光電変換電圧が前記基準電圧より高い場合に低電位レベルの前記比較結果出力電圧を前記出力部から出力する電圧比較器と、前記電圧比較器の前記出力部と前記駆動回路の前記入力部との間に介挿され、サンプル時にオン状態となり前記電圧比較器の前記出力部と前記駆動回路の前記入力部とを電気的に接続し、ホールド時にオフ状態となり前記電圧比較器の前記出力部と前記駆動回路の前記入力部とを電気的に遮断するスイッチと、一方電極が前記前記駆動回路の前記入力部に、他方電極が接地レベルに接続されたキャパシタとを備えた半導体発光素子の光強度制御回路。
引用特許：
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