特許
J-GLOBAL ID：200903001826352851

窒化物半導体層の成長方法

発明者：
森 大樹

森 大樹 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良 ,  中山 浩光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-146170
公開番号（公開出願番号）：特開2009-292668
出願日： 2008年06月03日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】良好なp型特性を持つ窒化物半導体層を得ることが可能な窒化物半導体層の成長方法を提供する。【解決手段】p型ドーパントとしてBeを用いる場合、Mgを用いる場合に比べてp-GaN層23のp型特性は、基板5の表面の転位密度に顕著に依存する。したがって、転位密度5×108cm-2以下の基板5を用いることにより、転位によるBeのキャリア補償を抑制でき、良好なp型特性を持つp-GaN層23が得られる。また、MBE法を用いることにより、p-GaN層23の成長方向や組成分布を精度良く制御できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
成長基板の表面にp型ドーパントとしてBeを用いた窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体層の成長方法であって、 前記成長基板として、転位密度が5×108cm-2以下の基板を用いることを特徴とする窒化物半導体層の成長方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  C30B23/08 M ,  C23C14/06 A ,  H01L21/203 M ,  H01L33/00 C
Fターム (29件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DA03 ,  5F041CA40 ,  5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK10 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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