薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238667
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107208
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】薄膜半導体装置の製造方法に関し、多結晶シリコンの結晶粒の成長方向をそろえると共に粒径を大きくすることによって電気的特性を均一にし、且つ、その電気的特性自体を改善する。【構成】非単結晶絶縁性基板1及び2の表面に再結晶化初期の結晶核発生密度の異なる領域3を設け、その上に、非晶質シリコン膜4を堆積したのち熱処理を施すことにより、前記結晶核発生密度の高い領域から再結晶化を開始し、前記結晶核発生密度の低い領域にむけて再結晶化を進行させて多結晶シリコン膜5を形成する。

請求項（抜粋）：

非単結晶絶縁性基板の表面に再結晶化初期の結晶核発生密度の異なる領域を設け、その上に、非晶質シリコン膜を堆積したのち熱処理を施すことにより、前記結晶核発生密度の高い領域から再結晶化を開始し、前記結晶核発生密度の低い領域にむけて再結晶化が進行することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 371

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