ヘリコン波プラズマ装置およびこれを用いたドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-092832
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288259
出願日： 1995年04月18日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】ヘリコン波プラズマ装置におけるエッチング・ガスの解離状態やチャンバ内イオン電流密度分布を自在に制御し、大口径ウェハに対しても面内均一性の高いドライエッチングを行う。【構成】プラズマ生成チャンバ1の天板2に対向するm=0モード・プラズマ励起用のシングルループ・アンテナ6と、該チャンバの側壁面を周回するm=1モード・プラズマ励起用のハーフターン・アンテナ7とを設け、スイッチ12の操作でこれら両アンテナ6,7に通常の高周波電源13またはパルス電源14のいずれかを接続し、駆動アンプ62,72によりそれぞれの出力を調整しながら2つのモードのヘリコン波プラズマPH の同時連続生成または同時間欠生成を行う。【効果】ウェハ周辺におけるAl系配線膜のエッチング速度上昇が抑えられ、これにより下地絶縁膜の膜減りも均一化できる。

請求項（抜粋）：

誘電体材料からなるプラズマ生成チャンバと、前記プラズマ生成チャンバの内部にm=0モードのヘリコン波プラズマを励起させるための第1のアンテナと、前記プラズマ生成チャンバの内部にm=1モードのヘリコン波プラズマを励起させるための第2のアンテナと、前記第1のアンテナと前記第2のアンテナに高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、前記プラズマ生成チャンバを周回し、その内部に磁界を生成させるための磁界生成手段と前記プラズマ生成チャンバに接続され、内部に収容した基板に対して所定のプラズマ処理を行う拡散チャンバとを有するヘリコン波プラズマ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 D , H05H 1/46 B

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