特許

J-GLOBAL ID：200903001834406790

トランジスタ論理回路の製造方法

発明者： 石崎 守 ,  中村 隆一 ,  今 真人 ,  伊藤 学
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-094033
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278621
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】汎用プラスチック基板上に、論理振幅が大きく消費電力が小さい相補形論理回路を簡便かつ安価に製造する方法を提供すること。【解決手段】少なくとも、絶縁基板上に第一電極(ゲート電極)を形成する工程と、開口を有するゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体パターンを形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の開口の位置にゲート接続電極、前記酸化物半導体パターン上にソース電極とドレイン電極を対向するように形成する工程を有する第二電極形成工程と、有機半導体パターンを形成する工程と、開口を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の開口位置に第三電極(配線電極)を形成する工程を有することで、論理振幅が大きく消費電力が小さい相補形論理回路を汎用プラスチック基板上に簡便かつ安価に製造することを可能とした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、絶縁基板上に第一電極(ゲート電極)を形成する工程と、開口を有するゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体パターンを形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の開口の位置にゲート接続電極、前記酸化物半導体パターン上にソース電極とドレイン電極を対向するように形成する工程を有する第二電極形成工程と、有機半導体パターンを形成する工程と、開口を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の開口位置に第三電極(配線電極)を形成する工程を有することを特徴とするトランジスタ論理回路の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/28

Fターム (30件)：

5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HL02 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• トランジスタからなる製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-003505   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド