特許

J-GLOBAL ID：200903001838680773

多層筒状炭素構造体及びその製造方法ならびに電子装置

発明者： 粟野 祐二 ,  大淵 真理
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (5件)： 石田 敬 ,  吉田 維夫 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-338288
公開番号（公開出願番号）：特開2004-168617
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】形態を改良された多層カーボンナノチューブを提供すること。【解決手段】実質的に炭素のみからなる2個もしくはそれ以上の円筒体が同心円状に配置された多層筒状炭素構造体において、最外層の円筒体が、カーボンナノチューブに由来するものであり、かつ少なくとも1個の内層円筒体が、2種類もしくはそれ以上の、カーボンナノチューブもしくはそれ以外の炭素材料の反応に由来するものであり、前記最外層の円筒体とは異なる形態を有しているように構成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

実質的に炭素のみからなる2個もしくはそれ以上の円筒体が同心円状に配置された多層筒状炭素構造体において、 最外層の円筒体が、カーボンナノチューブに由来するものであり、かつ その円筒体の内部に収納された少なくとも1個の内層円筒体が、2種類もしくはそれ以上の、カーボンナノチューブもしくはそれ以外の炭素材料の反応に由来するものであり、前記最外層の円筒体とは異なる形態を有していることを特徴とする多層筒状炭素構造体。

IPC (3件)：

C01B31/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

FI (3件)：

C01B31/02 101F ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Fターム (9件)：

4G146AA07 ,  4G146AA11 ,  4G146AA13 ,  4G146AB08 ,  4G146AD30 ,  4G146BA04 ,  4G146BC08 ,  4G146DA03 ,  4G146DA22