特許

J-GLOBAL ID：200903001840044418

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 西尾 幹夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-362039
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183357
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 LCDに用いる多結晶シリコン薄膜トランジスタは、poly-Siにした際その膜質にバラツキを生じることや、単結晶シリコンに比較して膜中に多くの欠陥があるため、移動度の向上が困難である。このため、容易に単結晶シリコンを形成する技術の開発が望まれている。【解決手段】 基板の所定の領域に一端が鋭角の溝を形成し、全溝内にアモルファスシリコンを埋めてレーザーで溶融し、溶融したシリコンが鋭角の端部側から冷却していく際に単結晶シリコン化する。

請求項（抜粋）：

基板の少なくもトランジスタの活性領域にレーザーアニールのためのレーザー照射の最初に終了する端部が30°以下の鋭角の溝を形成する溝形成ステップと、上記溝内にアモルファス、微細結晶等からなる半導体を埋めるアニール対象半導体埋め込みステップと、上記溝内のアニール対象半導体をレーザーアニールにより大結晶半導体化するアニールステップとを有していることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 627 A

Fターム (13件)：

5F052AA02 ,  5F052DA01 ,  5F052JA01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110GG12 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP22