特許
J-GLOBAL ID:200903001841940824
構造支持体の製造方法、構造支持体およびそれを備える電子線装置
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-023556
公開番号(公開出願番号):特開2003-229056
出願日: 2002年01月31日
公開日(公表日): 2003年08月15日
要約:
【要約】【課題】 スペーサの電極を高精度かつ容易に形成することができる構造支持体の製造方法を提供する。【解決手段】 表裏の基板面の所定の方向における断面形状が凸形状であるスペーサ基板1020aの、上記表裏の基板面のそれぞれに、その基板面と垂直な方向から高抵抗膜1020bを成膜する工程と、該工程により高抵抗膜1020bが形成された少なくとも1つのスペーサ基板1020aを、所定の大きさの電極形成用ブロック1050で基板面を両側から挟むようにして固定するとともに、これらスペーサ基板1020aおよび電極形成用ブロック1050の一方の端部をそれぞれ基準ブロック1052の基準面に当接して、スペーサ基板1020aのもう一方の端部の電極形成面1051に、該形成面に垂直な方向から低抵抗膜1020cを成膜する工程とを含む。
請求項(抜粋):
少なくと1つの基板面の所定の方向における断面形状が凸形状である板状基板の、前記基板面の全面に、その基板面に垂直な方向から所定の抵抗を有する高抵抗膜を成膜する第1の工程と、前記高抵抗膜が形成された基板面の前記凸形状をなす凸部の上面を、該上面より大きなマスク部材で覆い、前記板状基板の所定の端部に、所定の方向から前記高抵抗膜より抵抗の低い低抵抗膜を成膜する第2の工程とを含むことを特徴とする構造支持体の製造方法。
IPC (3件):
H01J 9/24
, H01J 29/87
, H01J 31/12
FI (3件):
H01J 9/24 A
, H01J 29/87
, H01J 31/12 C
Fターム (9件):
5C012AA01
, 5C012BB07
, 5C032AA01
, 5C032CC10
, 5C036EE09
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EG31
, 5C036EH08
前のページに戻る