特許
J-GLOBAL ID：200903001842665290
転写性に優れた金属薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020794
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214516
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：
【要約】【目的】 たとえば積層セラミックコンデンサにおける内部電極を金属薄膜の転写技術により形成することを容易にするため、転写性に優れた金属薄膜を提供する。【構成】 底面壁3に穴4が設けられたアルミナ製坩堝5を、水冷された金属テーブル7上に置く。坩堝5内で溶融された銅6は、穴4内において、金属テーブル7に接することにより、固化領域8を形成して、溶融した銅6の漏れを阻止する。坩堝5内で溶融された銅6は、穴4を通して接地され、その帯電が防止される。この状態で、電子ビームを照射すれば、電子ビームが散乱することが抑制され、それによって、散乱した電子が基板に衝突することによる、基板表面の吸着ガスが減少することを防止できる。そのため、蒸着薄膜と基板との接着力が抑制される。
請求項１：
金属薄膜をその上に形成するための基板を用意し、前記金属薄膜を与える金属を溶融させる坩堝を用意し、前記坩堝内で金属を溶融させるとともに溶融金属を接地しながら前記基板上に電子ビーム蒸着法により金属薄膜を形成する、各工程を備える、転写性に優れた金属薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/22
, H01G 4/12 364
, H01G 4/30 311
