特許

J-GLOBAL ID：200903001844252554

半導体不揮発性記憶装置

発明者： 荒瀬 謙士朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142236
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335396
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】短時間にデータの書き込みを行うことができる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】チャンネルホットエレクトロンによりフローティングゲート中に電子を注入することによって、データの書き込みを行う半導体不揮発性記録装置において、メモリアレイ1に対してデータを書き込む前に、カウンタ回路4によって、書き込まれるデータのうち、メモリアレイ全体あるいは分割されたブロック毎に1データの総数を計数し、計数結果によって、メモリアレイ1 に位相を保持したまま、あるいは位相を反転してデ-タ書き込みを行い、当該位相情報を位相情報記録部1aに書き込む。

請求項（抜粋）：

メモリセルの電荷蓄積部に蓄積された電荷量を制御することにより、互いに逆相の第1のデータまたは第2のデータのどちらかのデータが電気的に書き込まれる半導体不揮発性記憶装置であって、データ書き込み時に、メモリアレイ全体に書き込まれる第1のデータまたは第2のデータの総数を計数する計数回路と、上記計数回路の結果に基づいて、データ書き込み時のデータの位相を正転または反転させてデータの書き込みを行う書き込み回路と、上記書き込み回路によるデータの書き込みが行われた位相情報を記録する記録部とを有する半導体不揮発性記憶装置。