半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の洗浄方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326061
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134456
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上に残留しているハロゲン(塩素やフッ素等)を効果的に除去し、腐食の発生を確実に抑制する。【解決手段】第四級アンモニウム水酸化物、第四級アンモニウム炭酸塩、第四級アンモニウム重炭酸塩から選ばれる少なくとも一種を洗浄成分として含有する水溶液を半導体装置洗浄剤として使用する。浄成分の割合は0.0001〜10重量%である。また、防食剤を5重量%以下の割合で含有していてもよい。洗浄剤のpH値は、7〜11である。この洗浄剤による洗浄に先立って、フッ素化合物を0.1〜10重量%、水溶性有機溶剤を50〜90重量%含有し、残分が水からなる洗浄剤により洗浄してもよい。

請求項（抜粋）：

第四級アンモニウム水酸化物、第四級アンモニウム炭酸塩、第四級アンモニウム重炭酸塩から選ばれる少なくとも一種を洗浄成分として含有する水溶液からなることを特徴とする半導体装置用洗浄剤。

IPC (8件)：

H01L 21/304 647 , H01L 21/304 , B08B 3/08 , C11D 7/10 , C11D 7/32 , C11D 7/50 , C11D 17/08 , H01L 21/3065

FI (8件)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/304 647 A , B08B 3/08 Z , C11D 7/10 , C11D 7/32 , C11D 7/50 , C11D 17/08 , H01L 21/302 N

Fターム (16件)：

3B201AA01 , 3B201BB93 , 3B201BB94 , 4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003EA05 , 4H003EB13 , 4H003EB19 , 4H003ED02 , 4H003FA15 , 4H003FA28 , 5F004AA09 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB09 , 5F004FA08

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-048633
表面処理組成物及び表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-056087 出願人：三菱化学株式会社
半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-211217 出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社

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