特許
J-GLOBAL ID:200903001846993764

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-266829
公開番号(公開出願番号):特開平11-106929
出願日: 1997年09月30日
公開日(公表日): 1999年04月20日
要約:
【要約】【課題】 隔壁板及びその孔、並びにガス供給口周辺及び供給管内への重合膜等の異物の付着・堆積を抑制する。【解決手段】 ガスを用いて、励起源によりプラズマが生成されるプラズマ室2と、試料7が配置される処理室1と、プラズマ室と処理室との間に設けられ、プラズマ室から処理室に連通する孔4を有する隔壁板3と、処理室を排気する真空排気手段と、プラズマ室へパルス的にガスを供給するガス供給手段8、9、10とを備えるプラズマ処理装置において、隔壁板及びガス供給手段の少なくとも一方をプラズマ室の内壁よりも高温に保持する手段14、15を備えた。隔壁板及びガス供給手段の少なくとも一方を加熱する手段またはプラズマ室を冷却する手段を備えた。
請求項(抜粋):
ガスを用いて、励起源によりプラズマが生成されるプラズマ室と、試料が配置される処理室と、前記プラズマ室と前記処理室との間に設けられ、前記プラズマ室から処理室に連通する孔を有する隔壁板と、前記処理室を排気する真空排気手段と、前記プラズマ室へパルス的に前記ガスを供給するガス供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、前記隔壁板及びガス供給手段の少なくとも一方を前記プラズマ室の内壁よりも高温に保持する手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件):
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (6件):
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B
引用特許:
審査官引用 (3件)

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