特許

J-GLOBAL ID：200903001851000960

磁気記憶装置とその製造方法

発明者： 菊池 暁 ,  木内 克己 ,  渡辺 真 ,  高木 將宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 福島 康文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145272
公開番号（公開出願番号）：特開平7-334958
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】コンピュータシステムの外部記憶装置として用いられている磁気記憶装置とその製造方法、特に磁気ヘッドと磁気記憶媒体との摺動面に関し、耐久性に優れた磁気記憶装置を実現すること、特に磁気記憶媒体および磁気ヘッドに用いられる保護膜を改良することを目的とする。【構成】電磁変換素子を搭載した磁気ヘッドスライダ7の少なくとも摺動面側に保護膜Chが積層され、磁気記憶媒体面には保護膜Cmが積層され、その上に潤滑剤の層が設けられた磁気記憶装置において、磁気記憶媒体側の保護膜Cmの液体接触角θmが、磁気ヘッド側の保護膜Chの液体接触角θhより小さい構成とする。

請求項（抜粋）：

電磁変換素子を搭載した磁気ヘッドスライダ7の少なくとも摺動面側に保護膜Chが積層され、磁気記憶媒体面には保護膜Cmが積層され、その上に潤滑剤の層が設けられた磁気記憶装置において、磁気記憶媒体側の保護膜Cmの液体接触角θmが、磁気ヘッド側の保護膜Chの液体接触角θhより小さいことを特徴とする磁気記憶装置。