特許

J-GLOBAL ID：200903001854408854

半導体記憶装置

発明者： 矢野 正幸 ,  神田 信 ,  藤巻 仁
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080364
公開番号（公開出願番号）：特開平5-242687
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 EPROMにおける非選択メモリセルの影響を排除し、その書き込み不良ならびにチャージ電荷リークを防止する。これにより、その量産性を損なうことなくEPROMの動作を安定化し、EPROMを内蔵するマイクロコンピュータ等の信頼性を高める。【構成】 メモリアレイMARYを構成するメモリセルMCのソース領域となる拡散層を、共通のビット線に結合される複数のメモリセルのそれぞれに対応して分離し、しかも共通のソース領域S0〜Smとして共通のワード線に結合される複数のメモリセルによって共有化するとともに、これらの拡散層と対応するワード線W0〜Wmとの間に、ソース領域S0〜Smの電位を対応するワード線の電位に応じて選択的に切り換えるためのインバータN0〜Nmを設ける。

請求項（抜粋）：

ワード線及びビット線の交点に格子状に配置されかつそのソース電位が対応するワード線の電位に応じて選択的に切り換えられるフローティングゲート型のメモリセルを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/02 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 307 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371