特許

J-GLOBAL ID：200903001855863679

発光素子及びその製造方法

発明者： 中井 昭暢 ,  池田 正清
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-097922
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274369
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 複数波長の発光素子を単一の基板上に形成する。【構成】 SiドープのGaN層103及びAlGaN層104から成るn導電型層、ZnドープのInGaN105から成る活性層、及び、MgドープのAlGaN106及びGaN層107から成るp導電型層を含むダイオード部119、120を、単一の基板101上に複数積層して形成する。各ダイオード部119、120の分離には、高抵抗GaN層107を用いる。各ダイオード部119、120の低抵抗p導電型層113、114は、高抵抗層として形成したMgドープのAlGaN層106を、窒素雰囲気中でアニールしてその全領域を低抵抗化し、或いは、高抵抗GaN層107の一部領域と共に電子線照射をしてその一部を低抵抗化することで形成する。赤、青及び緑の3種類の発光ダイオード部を備えることでフルカラーを得る発光素子を実現することが出来る。赤色のGaP系化合物半導体ダイオードと組み合わせることも出来る。

請求項（抜粋）：

n型ドーパントを含むGaN系化合物半導体から成る少なくとも1つのn導電型層と、GaN系化合物半導体から成る活性層と、p型ドーパントを含むGaN系化合物半導体から成る少くとも1つのp導電型層とを含む発光ダイオード部を1の基板上に複数積層して備え、該各発光ダイオード部の夫々に独立に電極を形成したことを特徴とする発光素子。