特許
J-GLOBAL ID：200903001856250921
高比誘電率基板整合回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086526
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259709
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 高帯域化と低損失化が図れるとともに、設計精度の向上が図れる高比誘電率基板整合回路を提供する。【構成】 高周波増幅用トランジスタ1の入力または出力と外部信号線路5a,5bとの間を、使用周波数の4分の1波長の電気長Lに形成された比誘電率20以上の高比誘電率基板2a,2bで接続する。
請求項（抜粋）：
トランジスタなどの機能素子の入力または出力と外部線路との間を高比誘電率基板上に形成したマイクロストリップ線路で接続することによって整合をとる整合回路において、上記マイクロストリップ線路の電気長を使用周波数の4分の1波長にすることにより、所望の整合特性を得ることを特徴とする高比誘電率基板整合回路。
IPC (3件)：
H01P 5/02
, H01P 5/08
, H03F 3/60
