特許

J-GLOBAL ID：200903001864985515

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 小林 正貴
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004914
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221201
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】不純物拡散層の深さ方向における不純物の濃度分布を制御することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示す不純物拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1に備わるバイポーラ型トランジスタ10のベース拡散層12を形成する際に、N型エピタキシャル層13のベース拡散層12となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。これによって、ベース拡散層12の深さ方向における不純物の濃度分布を制御し、所望の濃度分布を有するベース拡散層12を形成することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示すベース拡散層12を形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体内に不純物が拡散された不純物拡散層を有する半導体装置の製造方法であって、 前記不純物拡散層を形成する工程は、半導体の不純物拡散層となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/331 ,  H01L21/265 ,  H01L29/732

FI (2件)：

H01L29/72 P ,  H01L21/265 F

Fターム (4件)：

5F003BB01 ,  5F003BC08 ,  5F003BP24 ,  5F003BP31