特許

J-GLOBAL ID：200903001885663577

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中田 行則
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273320
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083878
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 寄生バイポーラによる順方向でのリーク電流を阻止し、さらに、半導体基板と素子分離領域との境界付近で発生する逆方向でのリーク電流を有効に防止する。【解決手段】 半導体基板1と、該半導体基板表面に形成された素子分離領域3と、前記半導体基板上に形成された相補型MISトランジスタと、前記素子分離領域に囲まれた半導体基板上の領域内に形成されたショットキーバリアダイオードとからなり、該ショットキーバリアダイオードを構成するショットキー接合8aが前記素子分離領域から一定距離離れて形成されてなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板表面に形成された素子分離領域と、該素子分離領域に囲まれた半導体基板上の領域内に形成されたショットキーバリアダイオードとからなり、該ショットキーバリアダイオードを構成するショットキー接合が前記素子分離領域から一定距離離れて形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/41

FI (4件)：

H01L 27/08 331 B ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/52

Fターム (30件)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD02 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104FF40 ,  4M104GG03 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BF06 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-125463
  
• 半導体信号出力回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-102945   出願人：セイコー電子工業株式会社
• 特開平2-125463