特許
J-GLOBAL ID：200903001891138735
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088664
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274516
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【目的】 高出力でアスペクト比が1に近い半導体レーザを提供する。【構成】 n型半導体基板100上に、n型クラッド層110からエッチングストップ層140まで順に半導体層が積層されており、前記エッチングストップ層140上に形成されたp型第2クラッド層150とp型コンタクト層160とp型キャップ層170はリッジ構造となっている。又、リッジ側面には、該側面と平行となるようにp型GaInP層180、n型GaAs層190、n型GaInP層200が順に積層されている。更に、リッジ頂上付近のn型GaAs層190が削除されている為、電流がp型キャップ層170頂上だけでなくリッジ側面からも注入可能となっている。
請求項（抜粋）：
導電型の半導体基板上に少なくとも第1導電型のクラッド層、活性層、第2導電型の第1クラッド層が形成されており、前記第2導電型第1クラッド層上方には、少なくともエッチングによりリッジ形成された第2導電型の第2クラッド層、第2導電型のコンタクト層、第2導電型のキャップ層が順に積層されており、前記リッジ側面には該側面と平行するように第2導電型の半導体層、第1導電型の電流制限層、第1導電型の半導体層が順に形成され、前記リッジ頂上近辺の第1導電型電流制限層が削除されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073BA05
, 5F073CA13
, 5F073CB10
, 5F073DA05
, 5F073DA23
