特許
J-GLOBAL ID：200903001896185286
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031610
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240493
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体素子をステージ上に搭載して樹脂封止する構造の半導体装置に関し、熱印加時のパッケージクラックを防止することを目的とする。【構成】 リードフレーム22のステージ23の半導体素子25搭載面に、充填材28aの径より小の高さの段部23aが形成され、段部23a上に半導体素子25が搭載される。そして、パッケージ29の形成においてステージ23と半導体素子25との間に樹脂28のみが進入される構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子(25)が金属導体(22)のステージ(23)上に搭載され、前記金属導体(22)の所定のリード(26a)と電気的接続された後、所定の充填材(28a)が混入された樹脂(28)をモールドしてパッケージ(29)が形成される構造の半導体装置において、前記ステージ(23)の前記半導体素子(25)の搭載面に少なくとも前記充填材(28a)の径より小の高さの段部(23a)が形成され、前記段部(23a)上に前記半導体素子(25)が搭載されることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, H01L 21/52
, H01L 23/28
