特許

J-GLOBAL ID：200903001896187661

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 夏秋 信義 ,  本多 光晴 ,  永山 智士
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186825
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031665
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 高不純物濃度で、不純物濃度分布が急峻な浅い接合の半導体領域を形成する。【解決手段】 半導体基板1上に、浅い接合の半導体領域を形成するためのイオン注入処理(工程100)後、不純物活性化の熱処理(工程103)の直前に、外方拡散を防止すべく、薄いキャップ膜2を形成する(工程102)。

請求項（抜粋）：

半導体基板に浅い接合の半導体領域を形成するために、前記半導体基板に所定の不純物を導入する工程と、前記所定の不純物を活性化させるための熱処理の直前または初期に不純物の飛程に比し薄いキャップ膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 21/265 602 A ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/72