特許
J-GLOBAL ID：200903001898661166
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-062122
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275613
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 パターン崩れや断線を生じないエッチングを行うことができ、高精度の配線の形成が可能な半導体装置の製造方法を得る。【構成】 第2の層間膜10上の全面にレジストを塗布し、パターニングを行って配線の反転レジストパターン15を形成する。次に、反転レジストパターン15をマスクに、例えばフッ酸水溶液によるウェットエッチングを行い、第2の層間膜10を等方的にエッチングする。その後、レジストをO2 プラズマ等により除去すれば、配線が形成されるべき部分の凸状段差が低減された形状が得られる。次に、第1のビアホール11を形成し、第1のビアホール11を埋込む様に、第2の層間膜10上全面に、例えばスパッタ法により第2のアルミ配線12膜を形成する。続いて、レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術によるパターニングを行って、第2のアルミ配線12のパターニングを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置に形成される配線の下層に位置する層間絶縁膜の形成後、その層間絶縁膜上に該配線の反転パターンのレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンをマクスにして上記層間絶縁膜を等方的にエッチングする工程と、その後に上記レジストパターンを除去する工程と、該レジストパターンを除去した後に上記層間絶縁膜上に配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 C
