特許

J-GLOBAL ID：200903001900329727

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤崎 満 ,  石橋 保孝
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340332
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177030
出願日： 1997年12月10日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 歩留まりを向上させ、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法。【解決手段】 基板1上の段差部となるポリシリコン層5の側面をテーパ状に形成し、その段差部における金属シリサイド層9のエッチング残渣をなくす。これにより、電極間ショート等の回路素子への悪影響をなくすことができるため、歩留まりを向上させ、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にキャパシタ部を有する半導体装置であって、前記キャパシタ部は、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成されたテーパ状の両側端を有する上部電極とにより構成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/302 L