特許
J-GLOBAL ID：200903001902965086
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-057758
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257834
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】リソグラフィ時の位置ずれ等の検査結果によるリワークを行わなくても、良品率の低下を抑制する露光方法を提供すること。【解決手段】半導体基板の主面上に感光性膜を形成する(S101)、露光装置に半導体基板を搬送する(S102)、前記光性膜にマスク上検査マークを選択露光し、該感光性膜に検査マークの潜像を形成する(S105)、少なくとも検査マークの潜像が形成されている領域の前記感光性膜を加熱して、第2の検査マークの像を浮き出させる(S106)、浮き出た検査マークの像を計測する(S107)、計測結果に応じて、露光条件が設計値となるように、選択露光時の前記露光装置の設定値を変更する(S109)、変更された設定値に基づいて、前記感光性膜にマスク上デバイスパターンを前記感光性膜に露光し、該感光性膜にデバイスパターンの潜像を形成する(S110)、前記感光性膜全面を加熱する(S111)、前記感光性膜を現像する(S112)。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上に感光性膜を形成する工程と、前記感光性膜にそれぞれ検査マーク及びデバイスパターンを形成するためのマスク上検査マーク及びマスク上デバイスパターンが形成されたマスクが搭載された露光装置に前記感光性膜が形成された半導体基板を搬送する工程と、前記感光性膜にマスク上検査マークを選択露光し、該感光性膜に検査マークの潜像を形成する工程と、少なくとも検査マークの潜像が形成されている領域の前記感光性膜を加熱して、検査マークの像を浮き出させる工程と、浮き出た検査マークの像を計測する工程と、計測結果に応じて、露光条件が設計値となるように、選択露光時の前記露光装置の設定値を変更する工程と、変更された設定値に基づいて、マスク上デバイスパターンを前記感光性膜に露光し、該感光性膜にデバイスパターンの潜像を形成する工程と、前記感光性膜全面を加熱する工程と、前記感光性膜を現像する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/207
, G03F 9/00
, H01L 21/02
G03F 7/207 H
, G03F 9/00 H
, H01L 21/02 A
, H01L 21/30 514 E
, H01L 21/30 525 F
, H01L 21/30 516 D
, H01L 21/30 526 A
5F046AA17
, 5F046AA26
, 5F046BA04
, 5F046CA04
, 5F046CA08
, 5F046DA02
, 5F046DA14
, 5F046DD03
, 5F046EB01
, 5F046EB02
, 5F046EB05
, 5F046EC03
, 5F046EC05
, 5F046FA20
, 5F046FC03
, 5F046FC04
, 5F046FC05
