特許

J-GLOBAL ID：200903001905377584

単結晶ブロックの洗浄方法およびその洗浄装置

発明者： 杉谷 和明 ,  木山 匠 ,  北村 芳樹 ,  高石 和成
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266391
公開番号（公開出願番号）：特開平9-075874
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】 ワイヤソー切断ウェーハの洗浄処理を短時間で行う。ワイヤソー切断ウェーハ表面からの砥粒・油の除去を確実に行う。【解決手段】 単結晶ブロック13をワイヤソー切断機で切断する。単結晶ブロック13を洗浄液槽16に吊り下げる。界面活性剤と水を含む有機溶媒系の洗浄剤を用いた洗浄液中で、単結晶ブロック13を100mmだけ上下動させる。同時に、超音波印加機構17,18により、シリコンウェーハ14の表裏面に対して平行な方向でかつ互いに直交する方向に、低周波数の超音波と高周波数の超音波とを印加する。この結果、単結晶ブロック13の各ウェーハ14表裏面から油・砥粒が脱離・除去される。これらのウェーハ14間の間隙に対して洗浄液が出入し、脱離させた成分などを効率よく排除し、再吸着も防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

ワイヤソーで切断された単結晶ブロックの洗浄方法であって、この単結晶ブロックを洗浄液中に投入し、この単結晶ブロックの軸線と直交する方向で異なる2方向から低周波数の超音波と高周波数の超音波とを印加した単結晶ブロックの洗浄方法。

IPC (4件)：

B08B 3/12 ,  B23Q 11/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

B08B 3/12 B ,  B23Q 11/00 U ,  H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 341 M