半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263600
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103011
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】本発明は、大面積一括処理工程による生産性向上の利益を享受した量産が可能であり、その上、大口径化の度ごとに、これと同期した新たな量産施設を構築する必要がなく、機動的な設備投資を可能とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、半導体素子を形成するべき主表面を有する半導体基体11と、脱着可能である様に複数の半導体基体11を保持する保持基体12とからなる複合半導体基板を用いて半導体基体11の主表面上に半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

請求項１：

主表面を有する半導体基体と、脱着可能である様に複数の前記半導体基体を保持する保持基体とからなる複合半導体基板を用いて前記主表面上に半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 25/04 , H01L 25/18 , H01L 21/762 , H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 25/04 Z , H01L 21/02 Z , H01L 27/12 B , H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-003250
特開平3-003250
特開平1-129438

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