特許

J-GLOBAL ID：200903001905877889

チップ型半導体装置の製造方法

発明者： 岡崎 忠宏
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-362171
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164366
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 チップ基板上に半導体素子を高密度に設置し、効率よくチップ型装置を製造する。端子電極の側面部と上面部・下面部との安定した導通を確保する。【解決手段】 チップ基板の両端に一対の端子電極を有し、この一対の端子電極間に半導体素子を導通可能に搭載したチップ型半導体装置の製造方法において、一対の端子電極となる導電部材を離隔対向位置に配置する工程と、チップ基板となる溶融樹脂を前記導電部材間の空間に充填する工程と、前記溶融樹脂を硬化させる工程とを有する構成とする。あるいは、一対の端子電極となる導電部材と、チップ基板となる絶縁性樹脂とをそれぞれ嵌合可能形状に成形する工程と、成形した導電部材と絶縁性樹脂とを嵌め合わせる工程とを有する構成とする。

請求項（抜粋）：

チップ基板の両端に一対の端子電極を有し、この一対の端子電極に半導体素子を導通可能に搭載したチップ型半導体装置の製造方法であって、一対の端子電極となる導電部材を離隔対向位置に配置する工程と、チップ基板となる溶融樹脂を前記導電部材間の空間に充填する工程と、前記溶融樹脂を硬化させる工程とを有することを特徴とするチップ型半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/56 T ,  H01L 23/28 D ,  H01L 33/00 N ,  H01L 23/12 L

Fターム (21件)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA21 ,  4M109DB17 ,  4M109EA02 ,  4M109EC07 ,  4M109GA01 ,  5F041DA19 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39 ,  5F041DA43 ,  5F041DA92 ,  5F041DC03 ,  5F041DC23 ,  5F041DC26 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA21 ,  5F061FA01