特許
J-GLOBAL ID:200903001909011134

マスクデータ作成装置、マスクデータ作成方法、露光マスク、半導体装置の製造方法及びマスクデータ作成プログラム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-360210
公開番号(公開出願番号):特開2006-171113
出願日: 2004年12月13日
公開日(公表日): 2006年06月29日
要約:
【課題】 設計データのフラット化によるプロセス近接効果補正データの増加を抑制するマスクデータ作成装置、マスクデータ作成方法、露光マスク、半導体装置の製造方法及びマスクデータ作成プログラムを提供する。【解決手段】 チップ領域を複数の区画領域に分割し、その区画領域中のそれぞれのマスクパターンがなすパラメータを基準にしてプロセス近接効果補正の必要な広域補正領域を複数の区画領域から抽出する抽出部130と、プロセス近接効果補正を行って、広域補正データを作成する広域補正部150と、広域補正データを広域補正領域に適用してマスクデータを作成するマスクデータ作成部160とを備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
チップ領域を複数の区画領域に分割し、該区画領域中のそれぞれのマスクパターンがなすパラメータを基準にしてプロセス近接効果補正の必要な広域補正領域を前記複数の区画領域から抽出する抽出部と、 前記プロセス近接効果補正を行って、広域補正データを作成する広域補正部と、 前記広域補正データを前記広域補正領域に適用してマスクデータを作成するマスクデータ作成部 とを備えることを特徴とするマスクデータ作成装置。
IPC (3件):
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F1/08 A ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 502P
Fターム (3件):
2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H097LA10
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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