特許
J-GLOBAL ID：200903001913288000
固体撮像装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059244
公開番号（公開出願番号）：特開平10-257394
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】フォトダイオードの暗時のリーク電流が小さく、ダイナミックレンジの大きい固体撮像装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の固体撮像装置は、半導体基板の上に形成されたp型半導体層1と、上記p型半導体層1の表面に形成されたn型半導体層2、n型半導体層3と、上記p型半導体層1の表面に酸化膜4を挟んで堆積されたゲート電極5とを有し、上記p型半導体層1とn型半導体層2によりダイオードを形成し、上記半導体層1乃至3によりトランジスタを形成し、当該トランジスタのドレインに相当するn型半導体層3を深く形成し、当該ドレインに拡散電流を集めることを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
光を電荷に変換する光電変換素子と、トランジスタとを有する固体撮像装置において、半導体基板の上に形成された第1の半導体層と、上記第1の半導体層の表面に形成された第2及び第3の半導体層と、上記第1の半導体層の表面に酸化膜を挟んで堆積された転送電極層と、を有し、上記第1及び第2の半導体層により上記光電変換素子を形成し、上記第1乃至第3半導体層及び上記転送電極層により上記トランジスタを形成し、当該トランジスタのドレインに相当する上記第3の半導体層を溝により形成し、当該ドレインに第1の半導体層の拡散電流を集めることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H04N 5/335 R
, H04N 5/335 E
, H01L 27/14 A
