特許
J-GLOBAL ID：200903001914642614
ハイアスペクト導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-003854
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204361
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 細幅で厚さの大きいハイアスペクト導体パターンを狭い間隔で複数並列的に設けたデバイスを容易に製造する方法を提供する。【解決手段】 (A)絶縁基板上にめっき下地薄膜層を設ける工程、(B)この上にポジ型ホトレジスト層を積層する工程、(C)このポジ型ホトレジスト層にホトリソグラフィー法を施してこのポジ型ホトレジスト層からホトレジストマスクパターンを形成させる工程、(D)めっき処理を施してめっき下地薄膜層の露出部及びそれに近接したポジ型ホトレジストマスクパターンの被覆部上に断面マッシュルーム状のコイル導体めっき層を膨成する工程、(E)めっきを施してコイル導体めっき層全体にわたって保護用金属薄膜層で被覆する工程、(F)活性線を全面照射したのち現像することにより露出しているコイル導体めっき層間のポジ型ホトレジスト層を除去する工程及び(G)めっき下地薄膜層のみを選択的にエッチング処理して除去する工程を順次行ってハイアスペクト導体デバイスを製造する。
請求項（抜粋）：
(A)絶縁基板上にめっき下地薄膜層を設ける工程、(B)この上にポジ型ホトレジスト層を積層する工程、(C)このポジ型ホトレジスト層にホトリソグラフィー法を施してこのポジ型ホトレジスト層からホトレジストマスクパターンを形成させる工程、(D)めっき処理を施してめっき下地薄膜層の露出部及びそれに近接したポジ型ホトレジストマスクパターンの被覆部上に断面マッシュルーム状のコイル導体めっき層を膨成する工程、(E)めっきを施してコイル導体めっき層全体にわたって保護用金属薄膜層で被覆する工程、(F)活性線を全面照射したのち現像することにより露出しているコイル導体めっき層間のポジ型ホトレジスト層を除去する工程及び(G)めっき下地薄膜層のみを選択的にエッチング処理して除去する工程を順次行うことを特徴とするハイアスペクト導体デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 41/04 C
, H01F 17/00 A
