特許

J-GLOBAL ID：200903001915788370

メモリ装置

発明者： 江尻 直繁 ,  坂田 重道
出願人/特許権者： いわき電子株式会社
代理人 (1件)： 岡田 守弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-113746
公開番号（公開出願番号）：特開平10-307749
出願日： 1997年05月01日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、メイン記憶素子をアクセスする管理情報をメモリ上に記憶して当該管理情報を参照してメイン記憶素子をアクセスするメモリ装置に関し、電池なしでも読み書きでき書換え回数が非常に大きい強誘電体メモリに管理情報を記憶し、しかもメイン記憶素子の管理情報に変更があったときにのみ強誘電体メモリ上の管理情報を更新し、電源投入時あるいはリセット時に従来のフラッシュメモリの全領域をリードして管理情報を作成する処理時間を不要とし、簡単な構成かつ制御でしかも繰り返し書換回数の制限なしに迅速にアクセスできるメモリ装置を実現することを目的とする。【解決手段】 データを読み書きする、不揮発性のメイン記憶素子と、このメイン記憶素子に読み書きするデータの管理情報を格納する、読み書き可能で不揮発性の強誘電体メモリと、データの読み書き要求に対応して、強誘電体メモリ中の管理情報を参照してメイン記憶素子をアクセスする制御回路とを備えるように構成する。

請求項（抜粋）：

メイン記憶素子をアクセスする管理情報をメモリ上に記憶して当該管理情報を参照してメイン記憶素子をアクセスするメモリ装置において、データを読み書きする、不揮発性のメイン記憶素子と、このメイン記憶素子に読み書きするデータの管理情報を格納する、読み書き可能で不揮発性の強誘電体メモリと、データの読み書き要求に対応して、上記強誘電体メモリ中の管理情報を参照して上記メイン記憶素子をアクセスする制御回路とを備えたことを特徴とするメモリ装置。