特許
J-GLOBAL ID：200903001915877267
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-067673
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277804
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【目的】 上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子を提供する。【構成】 絶縁性基板の上に窒化物半導体層が成長されたウェーハの窒化物半導体層面に導電性基板を接着する第一の工程と、導電性基板接着後、前記ウェーハの絶縁性基板の一部、又は全部を除去して窒化物半導体層を露出させる第二の工程とを備え、露出させた窒化物半導体層と、導電性基板とに対向する電極を設ける。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の上に、窒化物半導体からなるn型層と、p型層とが成長されたウェーハの窒化物半導体層面に、導電性基板を接着する第一の工程と、導電性基板接着後、前記ウェーハの絶縁性基板の一部、又は全部を除去して前記n型層を露出させる第二の工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 31/10
, H01S 5/042 610
, H01S 5/323
H01L 33/00 C
, H01S 5/042 610
, H01S 5/323
, H01L 31/10 A
