特許
J-GLOBAL ID：200903001916653052
縦型電界効果トランジスタ及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-308823
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127290
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 200V以上の耐圧特性を備え、かつオン抵抗が低いトレンチ型のゲート電極を有する縦型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 本縦型電界効果トランジスタ40は、n+ シリコン基板12上にエピタキシャル成長させたn-Si層14と、n-Si層の表面部に形成されたp-ベース拡散層16と、n-Si層の表面部でp-ベース拡散層の内側に形成されたn+ ソース拡散層18とを備える。また、p-ベース拡散層16及びn+ソース拡散層18を貫通してn-Si層の上部に達するトレンチ42と、トレンチの溝壁に沿って設けられたゲート酸化膜44と、ゲート酸化膜上に設けられ、トレンチを埋め込んだゲート電極46と備える。トレンチの断面形状は、下方に向けて末広がりの台形に形成され、トレンチの下向き溝壁方向がp-ベース拡散層とn-Si層との境界線に対して成す角度θは、90°未満になっている正ベベル構造となっている。
請求項（抜粋）：
一の導電型の半導体基板上に形成された一の導電型のエピタキシャル成長層と、エピタキシャル成長層の表面部に形成された一の導電型と反対の導電型のベース拡散層と、エピタキシャル成長層の表面部でベース拡散層の内側に形成された一の導電型のソース拡散層と、ソース拡散層及びベース拡散層を貫通し、エピタキシャル成長層の上部に達するトレンチと、トレンチの溝壁に沿って設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に形成され、トレンチを埋め込んだゲート電極とを備えた縦型電界効果トランジスタにおいて、トレンチの深さ方向断面は上辺が下辺より短い略台形状であって、トレンチの下向き溝壁方向がベース拡散層とエピタキシャル成長層との境界線に対して90°未満の角度を成すように、トレンチが形成されていることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 658 G
