特許

J-GLOBAL ID：200903001916708280

ハイブリッド光集積用実装基板の作製方法

発明者： 柳澤 雅弘 ,  森脇 和幸 ,  安 光保 ,  山田 泰文 ,  日比野 善典 ,  鈴木 扇太
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-167198
公開番号（公開出願番号）：特開平9-015440
出願日： 1995年07月03日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 基板の凸部に集中する応力を低減し、信頼性の高いハイブリッド光集積用実装基板の作製方法を提供する。【構成】 平坦な基板上の一部を残して他の部分を削り取って凹凸基板を作製し、該凹凸基板上に前記凸部の高さより厚いバッファー層を形成し、該バッファー層を前記凹凸基板の凸部の平坦な表面が露出するまで平坦に除去し、該バッファー層除去工程で形成された平坦な表面上に下部クラッド層を形成し、該下部クラッド層上に該下部クラッド層より屈折率の高いコア層を形成し、該コア層より屈折率の低い上部クラッド層を形成し、前記凹凸基板の凸部領域上の前記上部クラッド層、コア層及び下部クラッド層を前記凸部の平坦な表面が露出するまで除去し、前記露出された凸部表面上に電気配線層を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に光導波路部及び光素子搭載部を形成するハイブリッド光集積用実装基板の作製方法において、平坦な基板上の一部を残して他の部分を削り取って凹凸基板を作製する凹凸基板作製工程と、前記凹凸基板上に前記凸部の高さより厚いバッファー層を形成するバッファー層形成工程と、前記バッファー層を前記凹凸基板の凸部の平坦な表面が露出するまで平坦に除去するバッファー層除去工程と、該バッファー層除去工程で形成された平坦な表面上に下部クラッド層を形成する下部クラッド層形成工程と、前記下部クラッド層上に該下部クラッド層より屈折率の高いコア層を形成するコア層形成工程と、前記コア層より屈折率の低い上部クラッド層を形成する上部クラッド層形成工程と、前記凹凸基板の凸部領域上の前記上部クラッド層、コア層及び下部クラッド層を前記凸部の平坦な表面が露出するまで除去する凸部露出工程と、前記露出された凸部表面上に電気配線層を形成する工程からなることを特徴とするハイブリッド光集積用実装基板の作製方法。

IPC (2件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/26

FI (2件)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/26

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-131104
  
• 特開昭60-049304