特許
J-GLOBAL ID：200903001919140242
光センサの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182499
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027922
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 光電変換部を有する集積化回路において、光電変換部の受光部の上に形成する酸化膜の膜厚にバラツキがあっても、光透過率の変動が小さくなるように膜厚を設定し、受光特性の向上を図ることを目的とする。【解決手段】 シリコン基板1に形成したフォトダイオード部3の受光部の上に酸化膜17b,18を形成する。このとき、受光部の表面における光の透過率と酸化膜17b,18の膜厚との関係を示す光透過率-受光部上酸化膜厚特性曲線に基づいて酸化膜17b,18を形成するが、特性曲線の光透過率が最大となる第1ピークの膜厚近傍は光透過率の変化が著しいため、この第1ピークを外した他のピークとなる膜厚を目標として酸化膜17b,18を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)に、入射する光の量に応じた出力を発生する光電変換部(3)を形成し、前記光電変換部(3)の受光部の上に絶縁膜(17b、18)を形成する光センサの製造方法であって、入射する光量に対する前記受光部への透過光量を示す光透過率と前記絶縁膜(17b、18)の膜厚との関係を示す光透過率-絶縁膜厚特性において、前記光透過率が最大となる第1ピークを外した他のピークとなる膜厚を目標として前記絶縁膜(17b、18)を形成することを特徴とする光センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 K
