特許

J-GLOBAL ID：200903001919323436

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 福田 正人 ,  守谷 直樹
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056947
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268180
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 書換回数が増大してもデータの誤認識を確実に回避できて信頼性が高い不揮発性半導体記憶装置(メモリ)を提供することを目的とする。【構成】 フローティングゲート14,15を有する2つのMOSトランジスタ30,31で、1つのメモリセルが構成される。2つのMOSトランジスタ30,31は、常に相互に異なる論理レベルが入出力される。このようにして得られた1対の出力を差動増幅することにより、メモリセルのデータの“0”、“1”を判定すれば、MOSトランジスタ30,31のしきい値の変動に起因するデータの誤認識を回避できる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートを備えソースが共通接続された2つのMOSトランジスタと、この2つのMOSトランジスタのうちの一方のトランジスタのドレインに接続されたビット線と、前記2つのMOSトランジスタのうちの他方のトランジスタのドレインに接続された相補ビット線とを有し、前記ビット線及び前記相補ビット線には相互に異なる論理レベルの信号が与えられることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  G11C 16/02 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 307 B ,  H01L 29/78 371