特許
J-GLOBAL ID：200903001922983811
p型半導体薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309987
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161644
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 有機金属気相成長法(MOCVD)を用いて、II族元素及びVI族元素が主成分であるp型半導体を製造する。【構成】 p型ドーピング原料としてアジド基を有する有機物材料を用い、その原料を不活性ガスを用いてバブリングするという方法を用いる。【効果】 製造膜中に取り込まれる水素原子が抑えられ、p型ドーパントとして働く窒素原子を活性化し、より高いp型キャリア濃度の製造膜を提供することができる。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法によるp型II-VI族化合物半導体の製造方法において、アジド基を有する有機物材料をp型ドーピング原料としてを用い、該p型ドーピング原料は希ガスあるいは窒素ガスを用いてバブリングすることにより供給されることを特徴とするp型半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/365
