特許
J-GLOBAL ID：200903001925415911
屈折率多次元周期構造の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115097
公開番号（公開出願番号）：特開平9-304611
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体材料で構成され所望の厚さを有した屈折率多次元周期構造を簡易に作製できる方法を提供する。【解決手段】 周期的な凹凸構造11xを表面に有したGaAs基板11を用意する。この基板11の表面上に、屈折率が異なる2種類の薄膜としてAlAs薄膜13およびGaAs薄膜を、交互にかつそれぞれの膜厚が前記凹凸における段差Hと等しいか実質的に等しい膜厚となるように積層する。
請求項（抜粋）：
周期的な凹凸構造を表面に有した下地を用意し、該下地の前記表面上に、屈折率が異なる2種類の薄膜を、交互にかつそれぞれの膜厚が前記凹凸における段差と等しいか実質的に等しい膜厚となるように積層することを特徴とする屈折率多次元周期構造の作製方法。
引用特許：
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