特許
J-GLOBAL ID：200903001937108259

半導体装置及びその製造方法

発明者：
森永 志郎

森永 志郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028628
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228444
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 空孔をもつ層間絶縁膜を有する半導体装置の製造に際し、空孔の形状や寸法や位置の設定が容易で、良好な強度を有する層間絶縁膜を形成する。【解決手段】 半導体基板1上に形成された下層配線2上の層間絶縁膜3を形成するに際して、SiO2 絶縁層31を形成し、その上にBPSG絶縁層32を形成し、その上に加熱処理に対する流動性が絶縁層32より高いBPSG絶縁層33を形成し、その上に加熱処理に対する流動性が絶縁層32と同等なBPSG絶縁層34を形成し、その上面を平坦化する。絶縁層32,33,34にわたって延びる孔を形成する孔開けを行い、しかる後に加熱処理を行うことで絶縁層33を流動させて絶縁層33における孔の部分を塞ぐことで絶縁層32における穴の部分を空孔7として残す。絶縁層34上にSiO2 絶縁層35を形成する。層間絶縁膜3上に上層配線4及び絶縁層5を形成する。
請求項（抜粋）：
配線層上に絶縁膜が積層形成されている半導体装置を製造する方法であって、前記絶縁膜を形成するに際して、下側絶縁層を形成し、該下側絶縁層上に加熱処理に対する流動性が前記下側絶縁層より高い上側絶縁層を形成し、該上側絶縁層と前記下側絶縁層とにわたって延びる孔を形成する孔開けを行い、しかる後に前記加熱処理を行うことで前記上側絶縁層を流動させて該上側絶縁層における前記孔の部分を塞ぐことで前記下側絶縁層における前記穴の部分を空孔として残すことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (6件)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/314 M ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 V
Fターム (37件)：
5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ32 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR29 ,  5F033TT02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX25 ,  5F033XX33 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BH01 ,  5F058BH08 ,  5F058BH10 ,  5F058BH12 ,  5F058BH13 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平4-207055
  • 特開平3-097258
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-092234   出願人：日本鋼管株式会社
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-207055
  • 特開平3-097258
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-092234   出願人：日本鋼管株式会社

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