特許
J-GLOBAL ID:200903001938710963

パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-249171
公開番号(公開出願番号):特開平6-104166
出願日: 1992年09月18日
公開日(公表日): 1994年04月15日
要約:
【要約】【目的】高段差基板上の薄膜をイオンミリング等の物理エッチングで高精度にパターン化する。【構成】感光性の電着膜4と導電膜3と炭素膜2の積層膜によって、順次、パターンを転写し、下層の被加工薄膜1を高精度エッチング可能とした。【効果】電着膜は段差被服性が優れているため、レジストの厚さを段差凹部で薄くできるので、イオンミリング時の再付着を防ぐとともに寸法精度を向上する効果がある。
請求項(抜粋):
被加工面内に大きな高低差をもつ基板にレジストパターンを形成し、物理スパッタ法を主とする乾式エッチング方法によってレジストのない部分の被加工材料を除去してパターンを形成する方法において、前記レジストを電着法によって形成し、前記被加工面内の前記レジストの膜厚を均一化したことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G11B 5/31
FI (2件):
H01L 21/30 361 E ,  H01L 21/30 361 S

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