特許

J-GLOBAL ID：200903001939584643

絶縁体上シリコン基板上に歪Si/SiGe層を用いた良好な移動度を有するNMOSおよびPMOSトランジスタ

発明者： ダグラス ジェームス トゥイート ,  シェン テン スー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127359
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368230
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 絶縁体上シリコン基板上に歪Si/SiGe層を用いた高性能NMOSトランジスタおよび高性能PMOSトランジスタを提供すること【解決手段】 本発明の金属酸化物半導体トランジスタは、内部に基板シリコン層を含む絶縁体上シリコン基板と、基板シリコン層上に位置するシリコンゲルマニウム層と、シリコンゲルマニウム層上に位置する上部シリコン層とを備える。厚さ10〜40nmの範囲の基板シリコン層を用いてこのように構成することにより、シリコンゲルマニウム層は圧縮歪みの状態であり、上部シリコン層と基板シリコン層とは引っ張り歪みの状態とすることが可能となる。従って、転位密度が高くなることなく、圧縮歪SiGe層と引っ張り歪Si層との両方を提供することができる。その結果、ホールおよび電子の良好な移動度が得られ、デバイス性能が向上する。

請求項（抜粋）：

金属酸化物半導体トランジスタであって、内部に基板シリコン層を含む絶縁体上シリコン基板と、該基板シリコン層上に位置するシリコンゲルマニウム層と、該シリコンゲルマニウム層上に位置する上部シリコン層とを備え、該シリコンゲルマニウム層は圧縮歪みの状態であり、該上部シリコン層と該基板シリコン層とは引っ張り歪みの状態であり、該基板シリコン層の厚さは10〜40nmの範囲である、トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 618 E

Fターム (30件)：

5F048AC03 ,  5F048BA05 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BD01 ,  5F048BD05 ,  5F048BD09 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB06 ,  5F052GC03 ,  5F052HA04 ,  5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110GG44 ,  5F110GG47