特許
J-GLOBAL ID：200903001942514818
磁気記録媒体、および、その製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359959
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162811
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 非磁性下地層の微細構造の制御を通して磁性層の微細構造を好ましく制御し、優れた特性を得ること。【解決手段】 非磁性基体1上に、Ru,Os,Reのうちの1種以上の金属を含む非磁性下地層2と、強磁性を有する結晶粒および該結晶粒を取り巻く非磁性粒界からなる磁性層3とが順次積層されてなる磁気記録媒体において、非磁性下地層2の成膜時において該膜内に取り込まれて残存する所定の不活性ガスの濃度を基準値以下に低下させ、非磁性下地層2の結晶粒径を所定の単位で制御し、磁性層3の磁性膜構造制御に適した緻密で微細粒子からなる膜構造に形成した。
請求項（抜粋）：
非磁性基体上に、少なくともRu,Os,Reのうちの1種以上の金属を含む非磁性下地層と、強磁性を有する結晶粒および該結晶粒を取り巻く非磁性粒界からなる磁性層とが順次積層されてなる磁気記録媒体であって、前記非磁性下地層の成膜時において該膜内に取り込まれて残存する所定の不活性ガスの濃度を基準値以下に低下させることによって、前記非磁性下地層の結晶粒径を所定の単位で制御して、前記磁性層の磁性膜構造制御に適した緻密で微細粒子からなる膜構造に形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (3件)：
G11B 5/738
, G11B 5/65
, G11B 5/851
G11B 5/738
, G11B 5/65
, G11B 5/851
5D006BB03
, 5D006BB06
, 5D006BB07
, 5D006CA01
, 5D006CA05
, 5D006EA03
, 5D112AA03
, 5D112AA05
, 5D112BB05
, 5D112BB06
, 5D112BD03
, 5D112FA04
, 5D112FB20
