特許
J-GLOBAL ID：200903001942641003
パターン化された被膜を含む金属を直接堆積させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-515606
公開番号（公開出願番号）：特表平10-508660
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】金属酸化物、金属、または他の金属含有化合物のパターン化された被膜を製造するための、フォトレジストを含まない方法を開示する。本方法では、金属錯体の無定形被膜を基材に塗布する。被膜は、標準的な工業技術を使用するスピンコーティングにより塗布するのが有利である。使用する金属錯体は光反応性であり、適当な波長の光の存在下で低温化学反応を起こす。反応の最終生成物は、反応を行なう雰囲気により異なる。金属酸化物被膜は空気中で製造できる。パターン化された被膜は、被膜の特定部分だけを露光することにより製造できる。2種類またはそれより多い材料のパターンを同じ被膜から、その被膜の異なった部分を異なった雰囲気中で露光することによって形成させることができる。得られるパターン化された被膜は全体的に平らである。一般的に、平面化工程を別に行なう必要は無い。
請求項（抜粋）：
下記の工程を含んでなる、基材上に金属含有材料のパターンを形成させる方法。(a)金属錯体の無定形被膜を基材表面上に堆積させる工程、(b)前記被膜を第一の雰囲気中に置く工程、および(c)前記被膜の第一の区域を電磁放射線に露出して、前記第一の区域中の前記金属錯体に光化学反応を引き起こさせ、その際この反応により、前記第一の区域にある前記金属錯体を、前記基材に密着した第一の金属含有材料に転化させる工程。
IPC (3件)：
C23C 18/14
, H01L 21/288
, H01L 21/3205
C23C 18/14
, H01L 21/288 Z
, H01L 21/88 B
