特許
J-GLOBAL ID：200903001943899080

窒化物半導体層の成長方法

発明者：
阿部 雅俊

阿部 雅俊 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-176875
公開番号（公開出願番号）：特開2006-004990
出願日： 2004年06月15日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】(a)基板の上に、第1の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、(b)該第1の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、(c)得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第2の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(a)基板の上に、第1の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、 (b)該第1の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、 (c)得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第2の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする窒化物半導体層の成長方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01L33/00 C ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205
Fターム (35件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13 ,  5F045HA23 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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