特許
J-GLOBAL ID：200903001944815041
電子デバイスの洗浄方法及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068282
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331978
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 電子デバイスの構成要素に含まれるタングステン等の高融点金属の溶解を防止しつつ、電子デバイスを確実に洗浄できるようにする。【解決手段】 シリコン基板11の上にポリシリコン膜13A、タングステンナイトライド膜13B、及びタングステン膜13Cからなるポリメタルゲート電極13を形成した後、過酸化水素水を実質的に含まない酸性溶液又は過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ性溶液からなる洗浄液、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水との混合液、オゾンを含むオゾン含有水、アンモニア水、又はフッ酸と水との混合液等を用いてシリコン基板11を洗浄する。
請求項（抜粋）：
タングステンを含む構成要素を有する電子デバイスを、過酸化水素水を実質的に含まない酸性溶液又は過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ性溶液からなる洗浄液を用いて洗浄することを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。
IPC (7件)：
H01L 21/304 647
, B08B 3/08
, H01L 21/28
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 29/43
, H01L 29/78
H01L 21/304 647 Z
, B08B 3/08 Z
, H01L 21/28 B
, H01L 27/08 321 D
, H01L 29/62 G
, H01L 29/78 301 F
, H01L 29/78 301 G
